中, 메모리반도체까지 '추격'


메모리 반도체 분야에서도 중국의 추격이 거세다. 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 최근 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램을 개발했다고 밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 늘려 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하는 ‘게임 체인저’로 평가받는 기술이다.

세계에서 GAA 기술을 상용화한 곳은 삼성전자가 유일하다. 이런 최신 기술을 2016년 설립된 CXMT가 확보했다고 공언한 것이다. 한국 반도체업계 관계자는 “중국이 메모리 반도체를 따라잡는 데는 길어야 3년 걸릴 것”이라며 “중국은 인력, 자원, 기술력 등 모든 역량을 갖추고 있다”고 말했다.

CXMT는 지난해 11월 중국 최초로 모바일용 D램인 LPDDR5(저전력 D램)를 개발해 샤오미 스마트폰에 장착했다. 중국 최대 낸드플래시업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 2022년 말 232단 3D 낸드를 상용화했다. YMTC는 2016년 설립된 신생 업체인데, 삼성전자 SK하이닉스와 비슷한 시기에 200단이 넘는 3D 낸드를 생산한 것이다.

삼성전자는 23일 업계 최고 적층 단수인 280~290단을 적용한 낸드 양산을 시작했다. 내년엔 430단 제품 출시를 추진할 계획이다. SK하이닉스는 내년 상반기 300단대 제품 생산을 준비하고 있다.

상하이=박의명 기자 uimyung@hankyung.com


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